Pencegahan Palsu dan Cacat
Inspeksi visual dan kemasan
Verifikasi Kinerja Listrik
Email Layanan:
[email protected]
>
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
9305 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Minta Penawaran
(Kapal besok)
*Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (142 Penilaian)
SISH112DN-T1-GE3
Ikhtisar Produk
12785972
DiGi Electronics Nomor Bagian
SISH112DN-T1-GE3-DGProdusen
Vishay Siliconix
SISH112DN-T1-GE3
Deskripsi
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAKInventaris
9305 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Garansi & Pengembalian
Cara Memesan
Pengiriman & Pengantaran
Jaminan Kualitas
Jaminan Kualitas 365 Hari - Setiap bagian didukung sepenuhnya.
Pengembalian Dana atau Penukaran 90 Hari - Komponen Rusak? Tidak Pusing.
Stok Terbatas, Pesan Sekarang - Dapatkan suku cadang yang terpercaya tanpa khawatir.
Pengiriman Global & Kemasan Aman
Pengiriman ke Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Kerja
Kemasan Anti-Static 100% ESD
Pelacakan Real-Time Setiap Pesanan
Pembayaran Aman & Fleksibel
Kartu Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer Telegraphic(T/T) dan lainnya
Semua pembayaran dienkripsi untuk keamanan
SISH112DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
Transistor, FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2610 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.5W (Tc)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8SH
Nomor Produk Dasar
SISH112
Lembar Data & Dokumen
Lembaran Data
Unduh SISH112DN-T1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembar Data HTML
SISH112DN-T1-GE3-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Suku Cadang Alternatif
NOMOR BAGIAN
PEMBUAT
JUMLAH YANG TERSEDIA
DiGi NOMOR BAGIAN
HARGA SATUAN
JENIS PENGGANTI
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desember 02, 2025
他們的庫存充足，讓我買得更放心，並且能即刻取得所需的產品。
Desember 02, 2025
Très satisfaite encore une fois, car leurs prix restent accessibles et leur emballage écologique est exemplaire.
Desember 02, 2025
Affordable prices and attentive support make DiGi Electronics stand out.
Desember 02, 2025
I've saved hundreds of dollars over the year thanks to their unbeatable prices.
Desember 02, 2025
Received my package quickly, and the packaging was clearly designed for safety.
Desember 02, 2025
Their prices make it easy to get the tech I need without overspending.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)
Apa fitur utama dari MOSFET Vishay SISH112DN-T1-GE3 tipe N-channel?
Vishay SISH112DN-T1-GE3 merupakan MOSFET daya dengan tegangan 30V dan arus 11,3A, memiliki Rds On rendah sebesar 7,5mΩ pada tegangan gerbang 10V. Dirancang untuk aplikasi permukaan PCB dengan kemasan PowerPAK® 1212-8SH, perangkat ini menawarkan efisiensi tinggi dan kinerja handal dalam rangkaian pengalih daya.
Bagaimana perbandingan performa listrik dari MOSFET Vishay SISH112DN-T1-GE3?
MOSFET ini memiliki kecepatan switching yang tinggi dengan muatan gerbang hanya 27nC pada tegangan 4,5V, serta daya dissipation maksimum sebesar 1,5W. Tegangan drain-source-nya sebesar 30V dan mampu menampung arus kontinu hingga 11,3A pada suhu 25°C, cocok untuk berbagai aplikasi pengelolaan daya.
Apakah MOSFET Vishay SISH112DN-T1-GE3 kompatibel dengan proses penyolderan permukaan PCB standar?
Ya, kemasan PowerPAK® 1212-8SH dirancang khusus untuk aplikasi permukaan PCB, memastikan kompatibilitas dengan proses produksi SMT yang umum dilakukan untuk perakitan yang efisien dan andal.
Apa saja aplikasi umum dari MOSFET N-channel ini?
MOSFET ini ideal digunakan dalam pengalih daya, kontrol motor, konverter DC-DC, dan rangkaian pengelolaan daya lainnya yang membutuhkan efisiensi tinggi dan kapasitas arus besar berkat Rds On yang rendah dan kemampuan arus tinggi.
Apakah Vishay SISH112DN-T1-GE3 dilengkapi dengan garansi dan layanan dukungan yang terpercaya?
Meskipun detail garansi tergantung dari penjualnya, produk Vishay dikenal karena kualitas dan daya tahannya yang tinggi. Disarankan membeli dari distributor resmi untuk memastikan keaslian produk dan mendapatkan layanan purna jual yang terbaik.
Jaminan Kualitas (QC)
DiGi memastikan kualitas dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pengambilan sampel secara batch, menjamin sumber yang dapat dipercaya, kinerja yang stabil, dan kepatuhan terhadap spesifikasi teknis, membantu pelanggan mengurangi risiko rantai pasok dan menggunakan komponen dengan percaya diri dalam produksi.
SISH112DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISH112DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
