SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (123 Penilaian)

SISH112DN-T1-GE3

Ikhtisar Produk

12785972

DiGi Electronics Nomor Bagian

SISH112DN-T1-GE3-DG
SISH112DN-T1-GE3

Deskripsi

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

Inventaris

5870 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Kuantitas
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

RFQ (Permintaan Penawaran)

Anda dapat mengirimkan permintaan RFQ Anda langsung di halaman detail produk atau halaman RFQ. Tim penjualan kami akan merespon permintaan Anda dalam waktu 24 jam.

Metode Pembayaran

Kami menawarkan beberapa metode pembayaran yang nyaman termasuk PayPal (disarankan untuk pelanggan baru), Kartu Kredit, dan Transfer Bank (T/T) dalam USD, EUR, HKD, dan lainnya.

PEMBERITAHUAN PENTING

Setelah Anda mengirim RFQ, Anda akan menerima email di kotak masuk Anda tentang penerimaan permintaan Anda. Jika Anda tidak menerimanya, alamat email kami mungkin salah diidentifikasi sebagai spam. Harap periksa folder spam Anda dan tambahkan alamat email kami [email protected] ke daftar putih Anda untuk memastikan bahwa Anda menerima penawaran kami. Karena kemungkinan fluktuasi inventaris dan harga, tim penjualan kami perlu mengonfirmasi kembali permintaan atau pesanan Anda dan mengirimkan pembaruan apa pun melalui email dengan cepat. Jika Anda memiliki pertanyaan lain atau memerlukan bantuan tambahan, jangan ragu untuk memberi tahu kami.

Tersedia (Semua harga dalam USD)
  • JML Harga Target Total Harga
  • 3000 0.56 1671.75
  • 6000 0.51 3082.66
  • 9000 0.51 4604.43
Harga Lebih Baik dengan RFQ Online.
Minta Penawaran(Kapal besok)
Kuantitas
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

SISH112DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen Vishay

Pengemasan Tape & Reel (TR)

Seri TrenchFET®

Status Produk Active

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss) 30 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C 11.3A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) 4.5V, 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 1.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V

Vgs (Maks) ±12V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 2610 pF @ 15 V

Fitur FET -

Disipasi Daya (Maks) 1.5W (Tc)

Suhu Operasional -50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok PowerPAK® 1212-8SH

Paket / Kasus PowerPAK® 1212-8SH

Nomor Produk Dasar SISH112

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML

SISH112DN-T1-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Sertifikasi DIGI
Blog dan Postingan