SIS778DN-T1-GE3 >
SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
35581 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Minta Penawaran (Kapal besok)
*Kuantitas
Minimum 1
SIS778DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (361 Penilaian)

SIS778DN-T1-GE3

Ikhtisar Produk

12787670

DiGi Electronics Nomor Bagian

SIS778DN-T1-GE3-DG
SIS778DN-T1-GE3

Deskripsi

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

Inventaris

35581 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Kuantitas
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

Jaminan Kualitas

Jaminan Kualitas 365 Hari - Setiap bagian didukung sepenuhnya.

Pengembalian Dana atau Penukaran 90 Hari - Komponen Rusak? Tidak Pusing.

Stok Terbatas, Pesan Sekarang - Dapatkan suku cadang yang terpercaya tanpa khawatir.

Pengiriman Global & Kemasan Aman

Pengiriman ke Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Kerja

Kemasan Anti-Static 100% ESD

Pelacakan Real-Time Setiap Pesanan

Pembayaran Aman & Fleksibel

Kartu Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer Telegraphic(T/T) dan lainnya

Semua pembayaran dienkripsi untuk keamanan

Minta Penawaran (Kapal besok)
* Kuantitas
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

SIS778DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori Transistor, FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen Vishay

Pengemasan -

Seri -

Status Produk Obsolete

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss) 30 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C 35A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) 4.5V, 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 42.5 nC @ 10 V

Vgs (Maks) ±20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1390 pF @ 15 V

Fitur FET Schottky Diode (Body)

Disipasi Daya (Maks) 52W (Tc)

Suhu Operasional -50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok PowerPAK® 1212-8

Paket / Kasus PowerPAK® 1212-8

Nomor Produk Dasar SIS778

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

SIS778DN

Lembar Data HTML

SIS778DN-T1-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Refle***argent
Desember 02, 2025
5.0
L'équipe est très professionnelle et toujours prête à offrir un conseil utile et impartial.
Clev***actus
Desember 02, 2025
5.0
Excellent after-sales responsiveness that shows their commitment to customer satisfaction.
St***low
Desember 02, 2025
5.0
The shipping speed combined with their responsive support makes them my top choice.
Sky***ker
Desember 02, 2025
5.0
I highly value their after-sales support which is consistently helpful.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)

Apa fitur utama dari MOSFET Vishay SIS778DN-T1-GE3?

Vishay SIS778DN-T1-GE3 adalah MOSFET kanal-N dengan tegangan drain-source sebesar 30V dan arus drain kontinu 35A, dilengkapi dengan Rds On yang rendah serta diode tubuh Schottky untuk switching yang efisien. Dirancang untuk aplikasi permukaan dengan kemasan PowerPAK® 1212-8.

Apakah Vishay SIS778DN-T1-GE3 cocok untuk rangkaian switching arus tinggi?

Ya, MOSFET ini mendukung switching arus tinggi hingga 35A dan memiliki Rds On yang rendah sebesar 5mΩ pada tegangan Vgs 10V, sehingga cocok digunakan dalam pengelolaan daya dan aplikasi switching yang membutuhkan konduksi efisien.

Berapa rentang suhu operasional Vishay SIS778DN-T1-GE3?

MOSFET ini dapat beroperasi secara efektif dalam rentang suhu dari -50°C sampai 150°C, cocok untuk berbagai aplikasi industri dan elektronik di kondisi termal yang berbeda.

Apakah Vishay SIS778DN-T1-GE3 kompatibel dengan perakitan PCB surface mount standar?

Ya, produk ini menggunakan pemasangan permukaan dengan kemasan PowerPAK® 1212-8, yang kompatibel dengan proses perakitan PCB standar untuk desain elektronik yang andal dan ringkas.

Apa yang perlu diketahui tentang pembelian dan ketersediaan MOSFET Vishay SIS778DN-T1-GE3?

Produk ini tersedia dalam stok dengan lebih dari 36.000 unit. Merupakan produk baru dan asli, namun perlu diperhatikan bahwa produk ini telah dinyatakan usang, jadi pastikan ketersediaannya dengan pemasok Anda untuk keperluan di masa mendatang.

Jaminan Kualitas (QC)

DiGi memastikan kualitas dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pengambilan sampel secara batch, menjamin sumber yang dapat dipercaya, kinerja yang stabil, dan kepatuhan terhadap spesifikasi teknis, membantu pelanggan mengurangi risiko rantai pasok dan menggunakan komponen dengan percaya diri dalam produksi.

Jaminan Kualitas
Pencegahan Palsu dan Cacat

Pencegahan Palsu dan Cacat

Penyaringan menyeluruh untuk mengidentifikasi komponen palsu, direnovasi, atau rusak, memastikan hanya bagian asli dan sesuai yang dikirimkan.

Inspeksi visual dan kemasan

Inspeksi visual dan kemasan

Verifikasi Kinerja Listrik

Verifikasi penampilan komponen, tanda, kode tanggal, integritas kemasan, dan konsistensi label untuk memastikan ketertelusuran dan kesesuaian.

Evaluasi Kehidupan dan Keandalan

Sertifikasi DiGi
Blog dan Postingan
SIS778DN-T1-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
Belum memiliki akun? Daftar