SIS776DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (35 Penilaian)

SIS776DN-T1-GE3

Ikhtisar Produk

12787581

DiGi Electronics Nomor Bagian

SIS776DN-T1-GE3-DG
SIS776DN-T1-GE3

Deskripsi

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

Inventaris

RFQ Online
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Kuantitas
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

RFQ (Permintaan Penawaran)

Anda dapat mengirimkan permintaan RFQ Anda langsung di halaman detail produk atau halaman RFQ. Tim penjualan kami akan merespon permintaan Anda dalam waktu 24 jam.

Metode Pembayaran

Kami menawarkan beberapa metode pembayaran yang nyaman termasuk PayPal (disarankan untuk pelanggan baru), Kartu Kredit, dan Transfer Bank (T/T) dalam USD, EUR, HKD, dan lainnya.

PEMBERITAHUAN PENTING

Setelah Anda mengirim RFQ, Anda akan menerima email di kotak masuk Anda tentang penerimaan permintaan Anda. Jika Anda tidak menerimanya, alamat email kami mungkin salah diidentifikasi sebagai spam. Harap periksa folder spam Anda dan tambahkan alamat email kami [email protected] ke daftar putih Anda untuk memastikan bahwa Anda menerima penawaran kami. Karena kemungkinan fluktuasi inventaris dan harga, tim penjualan kami perlu mengonfirmasi kembali permintaan atau pesanan Anda dan mengirimkan pembaruan apa pun melalui email dengan cepat. Jika Anda memiliki pertanyaan lain atau memerlukan bantuan tambahan, jangan ragu untuk memberi tahu kami.

Minta Penawaran(Kapal besok)
Kuantitas
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

SIS776DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen Vishay

Pengemasan -

Seri SkyFET®, TrenchFET®

Status Produk Active

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss) 30 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C 35A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) 4.5V, 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 36 nC @ 10 V

Vgs (Maks) ±20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1360 pF @ 15 V

Fitur FET Schottky Diode (Body)

Disipasi Daya (Maks) 3.8W (Ta), 52W (Tc)

Suhu Operasional -50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok PowerPAK® 1212-8

Paket / Kasus PowerPAK® 1212-8

Nomor Produk Dasar SIS776

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

SIS776DN-T1-GE3

Lembar Data HTML

SIS776DN-T1-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
PEMBUAT
JUMLAH YANG TERSEDIA
DiGi NOMOR BAGIAN
HARGA SATUAN
JENIS PENGGANTI
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
1954
RQ3E130BNTB-DG
0.15
MFR Recommended
CSD17578Q3A
Texas Instruments
24950
CSD17578Q3A-DG
0.18
MFR Recommended
CSD17578Q3AT
Texas Instruments
1956
CSD17578Q3AT-DG
0.46
MFR Recommended
CSD17552Q3A
Texas Instruments
2037
CSD17552Q3A-DG
0.32
MFR Recommended
STL11N3LLH6
STMicroelectronics
2745
STL11N3LLH6-DG
0.49
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Blog dan Postingan