Pencegahan Palsu dan Cacat
Inspeksi visual dan kemasan
Verifikasi Kinerja Listrik
Email Layanan:
[email protected]
>
SIS472BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
12637 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Minta Penawaran
(Kapal besok)
*Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (214 Penilaian)
SIS472BDN-T1-GE3
Ikhtisar Produk
13277364
DiGi Electronics Nomor Bagian
SIS472BDN-T1-GE3-DGProdusen
Vishay Siliconix
SIS472BDN-T1-GE3
Deskripsi
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAKInventaris
12637 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 30 V 15.3A (Ta), 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Garansi & Pengembalian
Cara Memesan
Pengiriman & Pengantaran
Jaminan Kualitas
Jaminan Kualitas 365 Hari - Setiap bagian didukung sepenuhnya.
Pengembalian Dana atau Penukaran 90 Hari - Komponen Rusak? Tidak Pusing.
Stok Terbatas, Pesan Sekarang - Dapatkan suku cadang yang terpercaya tanpa khawatir.
Pengiriman Global & Kemasan Aman
Pengiriman ke Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Kerja
Kemasan Anti-Static 100% ESD
Pelacakan Real-Time Setiap Pesanan
Pembayaran Aman & Fleksibel
Kartu Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer Telegraphic(T/T) dan lainnya
Semua pembayaran dienkripsi untuk keamanan
SIS472BDN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
Transistor, FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Pengemasan
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Nomor Produk Dasar
SIS472
Lembar Data & Dokumen
Lembaran Data
Unduh SIS472BDN-T1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembar data
SIS472BDN
Lembar Data HTML
SIS472BDN-T1-GE3-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SIS472BDN-T1-GE3TR
742-SIS472BDN-T1-GE3CT
742-SIS472BDN-T1-GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desember 02, 2025
Super Einkaufserlebnis! Das Team ist immer freundlich und die Preise sind super günstig.
Desember 02, 2025
I've noticed that DiGi's products maintain their quality over time, showcasing excellent consistency.
Desember 02, 2025
Customer support is quick, courteous, and very effective in addressing issues.
Desember 02, 2025
Low prices and high-quality support—DiGi Electronics keeps getting better.
Desember 02, 2025
Their dedication to quality combined with attractive pricing keeps me loyal.
Desember 02, 2025
Shipping speed is one of the best I've experienced in the industry.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)
Apa fitur utama dari MOSFET Vishay SIS472BDN-T1-GE3?
Vishay SIS472BDN-T1-GE3 adalah MOSFET daya dengan saluran N yang memiliki tegangan drain-ke-sumber sebesar 30V, mampu menangani arus hingga 38,3A pada suhu sambungan. Dirancang untuk aplikasi permukaan dengan kemasan PowerPAK® 1212-8 dan teknologi trench untuk performa yang lebih baik.
Apakah Vishay SIS472BDN-T1-GE3 cocok untuk aplikasi saklar arus tinggi?
Ya, MOSFET ini mendukung arus drain kontinu hingga 15,3A pada suhu lingkungan dan 38,3A pada suhu casing, sehingga cocok untuk aplikasi saklar arus tinggi dan manajemen daya.
Berapa rating tegangan dan persyaratan drive logika dari MOSFET ini?
Perangkat ini memiliki tegangan drain-ke-sumber maksimum sebesar 30V dan dapat dioperasikan dengan tegangan logika 4,5V hingga 10V untuk performa Rds On yang optimal, cocok untuk berbagai rangkaian saklar daya.
Apakah Vishay SIS472BDN-T1-GE3 kompatibel dengan standar RoHS?
Ya, MOSFET ini memenuhi standar RoHS3, memastikan bahwa produk ini memenuhi standar lingkungan terkait bahan berbahaya terbatas dan cocok untuk manufaktur yang peduli lingkungan.
Bagaimana kemasan Vishay SIS472BDN-T1-GE3 dan apa status garansinya?
MOSFET ini dikemas dalam kemasan permukaan PowerPAK® 1212-8, dirancang untuk penempatan yang mudah dan disipasi panas yang baik, serta tersedia sebagai stok baru dan asli yang menawarkan performa dapat diandalkan sesuai spesifikasi pabrikan.
Jaminan Kualitas (QC)
DiGi memastikan kualitas dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pengambilan sampel secara batch, menjamin sumber yang dapat dipercaya, kinerja yang stabil, dan kepatuhan terhadap spesifikasi teknis, membantu pelanggan mengurangi risiko rantai pasok dan menggunakan komponen dengan percaya diri dalam produksi.
SIS472BDN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
