SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (303 Penilaian)

SIHB22N60ET1-GE3

Ikhtisar Produk

12786399

DiGi Electronics Nomor Bagian

SIHB22N60ET1-GE3-DG

Produsen

Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3

Deskripsi

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Inventaris

565 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FET Tunggal, MOSFET
SIHB22N60ET1-GE3 Lembar Data
Kuantitas
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

RFQ (Permintaan Penawaran)

Anda dapat mengirimkan permintaan RFQ Anda langsung di halaman detail produk atau halaman RFQ. Tim penjualan kami akan merespon permintaan Anda dalam waktu 24 jam.

Metode Pembayaran

Kami menawarkan beberapa metode pembayaran yang nyaman termasuk PayPal (disarankan untuk pelanggan baru), Kartu Kredit, dan Transfer Bank (T/T) dalam USD, EUR, HKD, dan lainnya.

PEMBERITAHUAN PENTING

Setelah Anda mengirim RFQ, Anda akan menerima email di kotak masuk Anda tentang penerimaan permintaan Anda. Jika Anda tidak menerimanya, alamat email kami mungkin salah diidentifikasi sebagai spam. Harap periksa folder spam Anda dan tambahkan alamat email kami [email protected] ke daftar putih Anda untuk memastikan bahwa Anda menerima penawaran kami. Karena kemungkinan fluktuasi inventaris dan harga, tim penjualan kami perlu mengonfirmasi kembali permintaan atau pesanan Anda dan mengirimkan pembaruan apa pun melalui email dengan cepat. Jika Anda memiliki pertanyaan lain atau memerlukan bantuan tambahan, jangan ragu untuk memberi tahu kami.

Tersedia (Semua harga dalam USD)
  • JML Harga Target Total Harga
  • 800 1.92 1538.95
  • 1600 1.68 2692.13
  • 2400 1.53 3682.30
  • 5600 1.52 8512.00
Harga Lebih Baik dengan RFQ Online.
Minta Penawaran(Kapal besok)
Kuantitas
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

SIHB22N60ET1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen Vishay

Pengemasan Tape & Reel (TR)

Seri E

Status Produk Active

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss) 600 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C 21A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 86 nC @ 10 V

Vgs (Maks) ±30V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1920 pF @ 100 V

Fitur FET -

Disipasi Daya (Maks) 227W (Tc)

Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok TO-263 (D2PAK)

Paket / Kasus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Nomor Produk Dasar SIHB22

Lembar Data & Dokumen

Lembaran Data

Unduh SIHB22N60ET1-GE3 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembar data

SiHB22N60E
Lembar Data HTML

SIHB22N60ET1-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
SIHB22N60ET1-GE3DKR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3TR
SIHB22N60ET1-GE3CT

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
PEMBUAT
JUMLAH YANG TERSEDIA
DiGi NOMOR BAGIAN
HARGA SATUAN
JENIS PENGGANTI
IXFA22N65X2
IXYS
250
IXFA22N65X2-DG
2.56
MFR Recommended
R6020ENJTL
Rohm Semiconductor
9101
R6020ENJTL-DG
1.15
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produk Terkait
Blog dan Postingan
Kemajuan Terbaru dalam Teknologi Sirkuit Terpadu: Analisis Lima Teknologi Mutakhir
Jan 18 2025
Kemajuan dalam Teknologi Induktor: Aplikasi Inovatif LTCC dan Konverter Resonansi Frekuensi Tinggi
Jan 18 2025
Perlindungan Sirkuit: Teknologi Utama untuk Memastikan Keamanan Sistem Elektronik Industri dan Otomotif
Jan 18 2025