SIHB22N60ET1-GE3
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
6946 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Minta Penawaran (Kapal besok)
*Kuantitas
Minimum 1
SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (313 Penilaian)

SIHB22N60ET1-GE3

Ikhtisar Produk

12786399

DiGi Electronics Nomor Bagian

SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3

Deskripsi

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Inventaris

6946 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Kuantitas
Minimum 1

Pembelian dan pertanyaan

Jaminan Kualitas & Pengembalian

Jaminan Kualitas 365 Hari - Setiap bagian didukung sepenuhnya.

Pengembalian Dana atau Penukaran 90 Hari - Komponen Rusak? Tidak Pusing.

Stok Terbatas, Pesan Sekarang - Dapatkan suku cadang yang terpercaya tanpa khawatir.

Pengiriman Global & Kemasan Aman

Pengiriman ke Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Kerja

Kemasan Anti-Static 100% ESD

Pelacakan Real-Time Setiap Pesanan

Pembayaran Aman & Fleksibel

Kartu Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer Telegraphic(T/T) dan lainnya

Semua pembayaran dienkripsi untuk keamanan

Tersedia (Semua harga dalam USD)
  • JML Harga Target Total Harga
  • 1 3.9498 3.9498
  • 10 3.8510 38.5100
  • 30 3.7857 113.5710
  • 100 3.7204 372.0400
Harga Lebih Baik dengan RFQ Online.
Minta Penawaran(Kapal besok)
Kuantitas
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

SIHB22N60ET1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori Transistor, FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen Vishay

Pengemasan Tape & Reel (TR)

Seri E

Status Produk Active

Jenis FET N-Channel

Teknologi MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss) 600 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C 21A (Tc)

Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif) 10V

Rds On (Maks) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 86 nC @ 10 V

Vgs (Maks) ±30V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1920 pF @ 100 V

Fitur FET -

Disipasi Daya (Maks) 227W (Tc)

Suhu Operasional -55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan Surface Mount

Paket Perangkat Pemasok TO-263 (D2PAK)

Paket / Kasus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Nomor Produk Dasar SIHB22

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

SiHB22N60E

Lembar Data HTML

SIHB22N60ET1-GE3-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
SIHB22N60ET1-GE3DKR
SIHB22N60ET1-GE3-DG
SIHB22N60ET1-GE3TR
SIHB22N60ET1-GE3CT

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
PEMBUAT
JUMLAH YANG TERSEDIA
DiGi NOMOR BAGIAN
HARGA SATUAN
JENIS PENGGANTI
IXFA22N65X2
IXYS
1280
IXFA22N65X2-DG
2.5893
MFR Recommended
R6020ENJTL
Rohm Semiconductor
10146
R6020ENJTL-DG
1.1398
MFR Recommended

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Par***Doux
Desember 02, 2025
5.0
Leurs conseillers sont toujours aimables, courtois et très professionnels.
Harm***Trail
Desember 02, 2025
5.0
DiGi Electronics’ customer support team is genuinely caring, making every interaction pleasant.
Lif***ver
Desember 02, 2025
5.0
Their transparent pricing policy makes shopping stress-free and enjoyable.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)

Apa fitur utama dari MOSFET Vishay SIHB22N60ET1-GE3?
Vishay SIHB22N60ET1-GE3 adalah MOSFET N-channel berkinerja tinggi dengan tegangan maksimum 600V dan arus drain kontinu sebesar 21A. MOSFET ini memiliki Rds On yang rendah sebesar 180mΩ dan cocok digunakan untuk aplikasi switching dengan tegangan tinggi. Paket surface-mount TO-263 memungkinkan integrasi yang mudah ke berbagai rangkaian elektronik.
Untuk aplikasi apa MOSFET 600V 21A ini cocok digunakan?
MOSFET ini sangat cocok untuk Power Supply, rangkaian inverter, pengendalian motor, dan pencahayaan LED karena kemampuan menangani tegangan dan arus yang tinggi. Dirancang untuk switching daya dengan efisiensi tinggi di industri maupun produk elektronik konsumen.
Apakah Vishay SIHB22N60ET1-GE3 kompatibel dengan desain rangkaian standar?
Ya, MOSFET ini memiliki rentang tegangan kendali gerbang hingga ±30V dan Rds On maksimal pada Vgs 10V, sehingga kompatibel dengan rangkaian driver daya umum. Paket surface-mount TO-263 memudahkan integrasi ke layout yang sudah ada.
Apa keunggulan menggunakan MOSFET ini dibandingkan jenis lainnya?
MOSFET ini menawarkan ambang tegangan tinggi, Rds On yang rendah untuk mengurangi kerugian konduksi, dan kapasitas dissipasi daya yang kuat hingga 227W. Desain compact surface-mount memungkinkan solusi pengelolaan daya yang efisien dan ringkas.
Jenis dukungan purna jual dan pilihan persediaan apa yang tersedia untuk MOSFET Vishay ini?
Produk ini tersedia dalam jumlah besar dengan stok lebih dari 7.500 unit, memastikan pengiriman cepat. Sebagai komponen asli baru, didukung oleh pemasok terpercaya dan memenuhi standar industri, memberikan kepercayaan dalam pengadaan komponen Anda.
Sertifikasi DiGi
Blog dan Postingan

SIHB22N60ET1-GE3 CAD Models

productDetail
Please log in first.
Belum memiliki akun? Daftar