Pencegahan Palsu dan Cacat
Inspeksi visual dan kemasan
Verifikasi Kinerja Listrik
Email Layanan:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Minta Penawaran
(Kapal besok)
*Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Penilaian)
IPP041N12N3GXKSA1
Ikhtisar Produk
12803539
DiGi Electronics Nomor Bagian
IPP041N12N3GXKSA1-DGProdusen
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Deskripsi
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventaris
200457 Pcs Baru Asli Tersedia
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
Pembelian dan pertanyaan
Garansi & Pengembalian
Cara Memesan
Pengiriman & Pengantaran
Jaminan Kualitas
Jaminan Kualitas 365 Hari - Setiap bagian didukung sepenuhnya.
Pengembalian Dana atau Penukaran 90 Hari - Komponen Rusak? Tidak Pusing.
Stok Terbatas, Pesan Sekarang - Dapatkan suku cadang yang terpercaya tanpa khawatir.
Pengiriman Global & Kemasan Aman
Pengiriman ke Seluruh Dunia dalam 3-5 Hari Kerja
Kemasan Anti-Static 100% ESD
Pelacakan Real-Time Setiap Pesanan
Pembayaran Aman & Fleksibel
Kartu Kredit, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transfer Telegraphic(T/T) dan lainnya
Semua pembayaran dienkripsi untuk keamanan
IPP041N12N3GXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
Transistor, FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
120 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
300W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP041
Lembar Data & Dokumen
Lembaran Data
Unduh IPP041N12N3GXKSA1 Spesifikasi Produk (PDF)
Lembar data
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Lembar Data HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Desember 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Desember 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Desember 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Desember 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Desember 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Desember 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Desember 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Desember 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Pertanyaan yang Sering Diajukan (FAQ)
Apa fitur utama dari MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
MOSFET ini mendukung tegangan drain-to-source sebesar 120V dan arus drain kontinu sebesar 120A pada suhu 25°C, dengan Rds On yang rendah sebesar 4,1mΩ, sehingga cocok untuk aplikasi switching daya berkapasitas tinggi. Dirancang dengan kemasan TO-220-3 untuk pemasangan yang mudah dan performa yang andal.
Untuk aplikasi apa MOSFET 120V 120A ini cocok?
MOSFET ini ideal untuk konverter daya, penggerak motor, dan rangkaian switching arus tinggi di mana efisiensi pengelolaan daya dan kinerja termal sangat penting. Desainnya yang kokoh menjamin ketahanan dalam sistem elektronik yang menuntut.
Apakah MOSFET N-Channel ini kompatibel dengan desain elektronik yang sudah ada?
Ya, IPP041N12N3GXKSA1 kompatibel dengan voltase penggerak gerbang standar dan memiliki ambang gerbang sebesar 4V, sehingga cocok untuk berbagai rangkaian catu daya switching dan sistem tertanam.
Apa manfaat memilih MOSFET seri OptiMOS™ dari Infineon?
MOSFET seri OptiMOS™ dikenal dengan Rds On yang rendah, efisiensi tinggi, dan performa termal yang sangat baik, membantu mengurangi dissipasi daya dan meningkatkan keandalan keseluruhan sistem.
Jenis garansi dan dukungan apa yang tersedia untuk produk MOSFET ini?
Sebagai produk yang aktif dan sesuai standar RoHS3, MOSFET ini didukung oleh layanan purna jual dan jaminan kualitas dari pabrikan. Produk ini dikirim langsung dari stok, memastikan ketersediaan cepat untuk proyek Anda.
Jaminan Kualitas (QC)
DiGi memastikan kualitas dan keaslian setiap komponen elektronik melalui pemeriksaan profesional dan pengambilan sampel secara batch, menjamin sumber yang dapat dipercaya, kinerja yang stabil, dan kepatuhan terhadap spesifikasi teknis, membantu pelanggan mengurangi risiko rantai pasok dan menggunakan komponen dengan percaya diri dalam produksi.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
